数控延时器芯片

微波控制类

数控延时器芯片(真延时 MMIC)为 GaAs pHEMT 工艺射频单片微波集成电路。通过数字控制方式精准调节射频信号的传输时延,时延调节精度可达皮秒(ps)级别。
与数控移相器仅调整信号相位不同,真延时芯片对射频信号施加物理时间延迟,改善宽带阵列系统的波束偏移现象,保障宽带场景下波束稳定扫描。产品常以裸片形式供货,适配金丝键合装配,便于 T/R 组件小型化集成,具备宽温工作特性。适用于宽带相控阵列、卫星通信、射频仿真测试、宽带无线通信等系统

型号 频率(GHz) 功能 插入损耗(dB) 延时控制范围(ps) 延时精度(ps) 控制电压(V) 封装 资料 操作
CGC292A 2~ 18 7位数控延时器 12 1 ~ 127 ±3 0/+5V - 📄 PDF 详情
CGC293B 18 ~ 40 6位数控延时器 20 1~ 63 +1 0/+5V - 📄 PDF 详情
CGC291ALC7 1~ 18 6位数控延时器 19 10~630 +9 0/+5V 7x7QFN26-Lead 📄 PDF 详情
CGC291A 1~18 6位数控延时器 18 10 ~ 630 ±4 0/+5V - 📄 PDF 详情
CGC288A 0.1 ~ 18 6位数控延时器 10 1.25 ~ 78.75 +0.5 0/+5V - 📄 PDF 详情
CGC288CLP4 2~20 6位数控延时器 11 1.25 ~ 78.75 +1.0 0/+5V 4x4 QFN24-Lead 📄 PDF 详情
CGC295LP5 2~ 16 6位数控延时器 15 5~315 +10 0/+5V 5x5 QFN40-Lead 📄 PDF 详情
CGC295 2~16 6位数控延时器 14 5~315 +10 0/+5V - 📄 PDF 详情
CGC290B 0.2~2 6位数控延时器 8 25 ~ 1575 +8 0/+5V - 📄 PDF 详情
CGC299 2~18 5位数控延时器 23 27.8 ~ 861.8 +10 0/+5V - 📄 PDF 详情
CGC298 2~18 5位数控延时器 6.5 0.8 ~24.8 +0.7 0/+5V - 📄 PDF 详情
CGC288LC5 0.1 ~ 18 5位数控延时器 10 2.5~ 77.5 +1.5 0/+5V 5x5 QFN14-Lead 📄 PDF 详情
CGC289BLP5-40 2~16 4位数控延时器 15 40~600 +8 0/+5V 5x5 QFN40-Lead 📄 PDF 详情
CGC289ALC7 0.1~18 4位数控延时器: 16 40~600 +6 0/+5V 7x7 QFN26-Lead 📄 PDF 详情
CGC289A 0.1~18 4位数控延时器 15 40~600 ±5 0/+5V - 📄 PDF 详情
CGC286A 1~ 12 4位数控延时器: 9 26~390 +2 0/+5V - 📄 PDF 详情
CGC294B 18 ~ 40 3位数控延时器 19 64 ~ 256 +2 0/+5V - 📄 PDF 详情
CGC270 12 ~ 22 3位数控延时器 1.5 1~7 +0.5 0/+5V - 📄 PDF 详情
CGC2803 2~18 3位数控延时器 15 103.5 ~ 724.5 ±3 0/+5V - 📄 PDF 详情
CGC274 0.2 ~ 18 1位数控延时器 10 640 +5 0/+5V - 📄 PDF 详情
CGC2804 2~16 1位数控延时器 13 820 +8 0/+5V - 📄 PDF 详情
CGC297A 0.1~8 1位数控延时器 10 1280 +10 0/+5V - 📄 PDF 详情